EMG8T2R详细
TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
EMG8T2R参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:50V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):47k,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 10mA，5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA,电流 - 集电极截止（最大值）:500nA,频率 - 跃迁:250MHz,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-SMD（5引线），扁引线,供应商器件封装:EMT5
